Name: Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5902DC-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3

Artikelnummer:

SI5902DC-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

Datenblätte:

1.SI5902DC-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5902DC-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	1206-8 ChipFET™
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 2.9A, 10V
Leistung - max	1.1W
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.9A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI5902
SI5902DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI5902DC-T1-E3 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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